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  • electronicsforu

    06/18/2025, 06:40 AM UTC

    ➀ 麻省理工学院研究人员开发出低成本铜键合工艺,将氮化镓晶体管集成到标准硅芯片上,提升性能并支持规模化生产;

    ➁ 该技术避免传统晶圆级键合方式,减少95%的氮化镓材料损耗,400℃以下低温工艺保护芯片敏感组件;

    ➂ 原型功率放大器展现更优带宽和信号增益,预计将推动消费电子、AI基础设施和量子计算领域的技术革新。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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