10/29/2024, 02:39 AM UTC
三星计划2026年实现400层垂直NAND，2030年目标1000层NAND[News] Samsung Reportedly Plans 400-layer Vertical NAND by 2026, Targeting 1,000-layer NAND by 2030
➀ 据报道，三星计划到2026年推出400层垂直NAND；➁ 该公司旨在2030年实现1000层NAND的目标；➂ 这是内存市场竞争的一部分，尤其是在HBM成为AI时代关键战场的情况下。➀ Samsung is reportedly planning to introduce 400-layer vertical NAND by 2026; ➁ The company aims to reach a 1,000-layer NAND target by 2030; ➂ This move is part of the competition in the memory market, especially with HBM becoming a crucial battlefield in the AI era.---
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