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  • 中国存储巨头战略急转:DDR4风光不再,HBM3能否扛起大旗?

    tomshardware

    05/27/2025, 10:47 AM UTC

    ➀ 中国半导体领军企业长鑫存储(CXMT)计划于2025年年中逐步停产DDR4内存,响应政府推动AI及HBM3高带宽内存发展的战略;

    ➁ 此举导致8GB DDR4芯片价格暴涨150%,美光、三星和海力士等国际大厂同步计划终止DDR3/DDR4生产;

    ➂ CXMT的DDR5样品存在高温稳定性缺陷,耐温极限低于三星产品25°C,量产前景存疑。

    据台媒报道,中国最大DRAM制造商长鑫存储(CXMT)即将在2025年年中全面停止DDR4内存生产。这一决定被解读为响应中央政府「集中力量发展AI与云计算基础设施」的号召。值得玩味的是,该公司刚于2024年底实现DDR4大规模量产,以低价策略冲击市场,甚至迫使三星、美光等巨头宣布将在2025年底前同步放弃DDR3/DDR4产能。

    业内人士分析,存储产业正经历剧变。北京对AI芯片的迫切需求促使HBM高带宽内存成为新宠,CXMT的HBM3芯片计划于2023年底完成验证。然而激进转型的代价已然显现:DDR4市场突现供给真空,部分8GB DDR4芯片价格飙升150%,引发下游厂商采购恐慌。

    有趣的是,长鑫存储的「断腕」决策背后暗藏技术隐忧。消息人士透露,其最新DDR5样品在60°C环境下即出现运行不稳定,较三星同类产品的85°C耐温极限差距显著。在北方冬季零下环境中的表现更受质疑,这对标榜「数据中心级产品」的国产生态无疑是一记警钟。

    (评论:存储产业格局重构之际,国产厂商既要跟紧政策风向,更需跨越技术深水区。DDR4的急刹车或将加速行业洗牌,但技术沉淀绝非一日之功。)

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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