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  • electronicsforu

    03/21/2025, 11:31 AM UTC

    ➀ 文章探讨了3D NAND闪存如何成为满足由人工智能驱动的数据存储需求的关键技术。文章指出,从二维到三维NAND结构的转变通过垂直堆叠实现了更高的存储密度。

    ➁ 提到了三星、西部数据和SK海力士等主要参与者在3D NAND技术方面的领导地位。文章还探索了低温蚀刻技术的创新,该技术增强了蚀刻能力并解决了缩放挑战。

    ➂ 全球NAND闪存市场预计会显著增长,到2036年将达到830亿美元。Lam Research被指出是3D NAND介质蚀刻市场的领导者,其Lam Cryo™ 3.0等先进设备使得蚀刻过程更加高效和精确。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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